2024普通高等学校招生全国统一考试·模拟调研卷(一)1理科综合QG试题

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0.水放置的光滑固定圆环，半径为R,AB是其直径。一质量为m的光滑小球穿在环上并静止于A点。沿AB方向水向右的风力大小恒为F=mg。小球受到轻扰而开始运动，则下列说法正确的是A.小球运动过程中的最大速度为2√gRB.小球从A点到B点的过程中，水风力和圆环对小球弹力的总冲量大小为2m√gRC.运动中小球对环的最大压力为5mgD.运动中小球对环的最小压力为mg21.中美芯片之争是一场没有硝烟的战争。从中兴受罚华为被禁，再到美国商务部禁止外国半导体制造商在没有获得美国官员许可的情况下使用美国软件和技术向华为提供产品。中国芯片之路，必定是一条崎岖的坎坷路。在芯片制造过程中，离子注入是其中一道重要工序。如图所示是离子注入工作原理示意图，离子经加速后沿水方向进入速度选择器，然后通过磁分析器，选择出特定比荷的离子，经偏转系统后注入到处在水面内的晶圆（硅片）。速度选择器、磁分析器和偏转系统中的匀强磁场的磁感应强度大小均为B,方向均垂直纸面向外；速度选择器和偏转系统中的匀强电场场强大小均为E,方向分别为竖直向上和垂直纸面向外。磁分析器截面是内外半径分别为R1和R2的四分之一圆环，其两端中心位置M和N处各有一个小孔；偏转系统中电场和磁场的分布区域是同一边长为工的正方体，其底面与晶圆所在水面行，间距也为。当偏转系统不加电场及磁场时，离子恰好由上表面中心竖直进入系统，并竖直注入到晶圆上的O点（即图中坐标原点，x轴垂直纸面向外）。整个系统置于真空中，不计离子重力，经过偏转系统直接打在晶圆上的离子偏转的角度都很小，离子能从底面穿出偏转系统。当a很小时，有sina≈tana≈a,cosa≈l-1a2,下列说法正确的是磁分析器高子源速度选择器偏转系统锦圆所在Q水面A,可以利用此系统给晶圆同时注入带正电离子和带负电的离子B.从磁分析器下端孔N离开的离子，其比荷为仅+R)82EC,若偏转系统仅加电场，则离子注入晶圆的位置为(3L2+R,0)D,若偏转系统同时加上电场和磁场，离子注入晶圆的位置为(22212R1+R2'R1+R2